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JANTXV2N3739数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
JANTXV2N3739 |
参数属性 | JANTXV2N3739 封装/外壳为TO-213AA,TO-66-2;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 300V 1A TO66 |
功能描述 | NPN Silicon Power 300V, 1A |
封装外壳 | TO-213AA,TO-66-2 |
制造商 | Microchip Microchip Technology |
中文名称 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 15:36:00 |
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JANTXV2N3739规格书详情
描述 Description
This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, power 2N3739 transistors for use in particular power-switching applications. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500/402.
特性 Features
The device package for this specification sheet is similar to diamond base case mounted TO-213AA (formerly TO-66) for all packaged device types.
简介
JANTXV2N3739属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的JANTXV2N3739晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
JANTXV2N3739
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Military, MIL-PRF-19500/402
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
2.5V @ 25mA,250mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
25 @ 250mA,10V
- 工作温度:
-55°C ~ 200°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-213AA,TO-66-2
- 供应商器件封装:
TO-66
- 描述:
TRANS NPN 300V 1A TO66
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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