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JANTXV2N3739

NPN Silicon Power 300V, 1A

This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, power 2N3739 transistors for use in particular power-switching applications. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500/402. The device package for this specification sheet is similar to diamond base case mounted TO-213AA (formerly TO-66) for all packaged device types.;

Microchip

微芯科技

JANTXV2N3739

Package:TO-213AA,TO-66-2;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 300V 1A TO66

Microchip

微芯科技

2N3739

SILICON NPN POWER TRANSISTOR

文件:344.41 Kbytes 页数:2 Pages

Central

2N3739

SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081

SILICON NPN/PNP POWER TRANSISTOR

文件:123.99 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N3739

Power Transistors

Power Transistors TO-66 Case

文件:51.32 Kbytes 页数:1 Pages

Central

产品属性

  • 产品编号:

    JANTXV2N3739

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/402

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2.5V @ 25mA,250mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 250mA,10V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供应商器件封装:

    TO-66

  • 描述:

    TRANS NPN 300V 1A TO66

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多JANTXV2N3739供应商 更新时间2025-10-31 15:01:00