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JANTXV2N3700数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

JANTXV2N3700

参数属性

JANTXV2N3700 封装/外壳为TO-206AA,TO-18-3 金属罐;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 1A TO18

功能描述

Transistor GP BJT NPN 3-Pin 80V, 1A, 0.5W TO-18 Bag
TRANS NPN 80V 1A TO18

封装外壳

TO-206AA,TO-18-3 金属罐

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 19:30:00

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JANTXV2N3700规格书详情

描述 Description

This 2N3700 NPN transistor is military qualified up to the JAN level for high-reliability applications. This transistor is available in hermetically sealed metal packages TO-206AA (TO-18), TO-206AB (TO-46), TO-205AA (TO-5), TO-205AD (TO-39), and surfacemount UB and UBC packages

特性 Features

JEDEC registered 2N3700 number
JANHC, JANKC, JAN, JANTX, JANTXV and JANS qualifications are available per MIL-PRF-19500/391
Rad hard levels are also available per MIL-PRF-19500/391
(See RHA datasheet for JANS_2N3700.) RoHS compliant versions available (commercial grade only)
Leaded, hermetically sealed TO-18 package
Lightweight
Low power
Military and other high-reliability applications.

简介

JANTXV2N3700属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的JANTXV2N3700晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    JANTXV2N3700

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/391

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 500mA,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-206AA,TO-18-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-18(TO-206AA)

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1A TO18

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