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JANTXV2N2907UB	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：3-SMD，无引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：SMALL-SIGNAL BJT	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
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MSR2N2907A	文件：1.09927 Mbytes Page：8 Pages	RadHardPNPSiliconSwitchingTransistorScreenedperMIL-PRF-19500&ESCC22900 DESCRIPTION ThisRHAlevelPNPswitchingtransistor,2N2907AdeviceinaTO-206AApackage,isidealto drivemanyhigh-reliabilityapplications.ThisdeviceisconstructedandscreenedtoaJANSR performancelevelwithradiationtestmethod1019waferlotacceptanceconductedonalldie lots.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MSR2N2907AUB	文件：440 Kbytes Page：7 Pages	RadHardPNPSiliconSwitchingTransistorScreenedperMIL-PRF-19500&ESCC22900 DESCRIPTION ThisRHAlevelPNPswitchingtransistor,2N2907AdeviceinaUBpackage,isidealtodrive manyhigh-reliabilityapplications.ThisdeviceisconstructedandscreenedtoaJANSR performancelevelwithradiationtestmethod1019waferlotacceptanceconductedonalldie lots.Fully	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
P2N2907	文件：91.94 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS Designedforswitchingandlinearapplications,DCamplifieranddriverforindustrialapplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
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P2N2907A	文件：240.29 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistor(PNPSilicon) AmplifierTransistor PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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SF_2N2907	文件：11.21 Kbytes Page：1 Pages	BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedTO18MetalPackage	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
ST2N2907	文件：121.28 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintoonegroup accordingtoitsDCcurrentgain.As complementarytypetheNPNtransistorST 2N2222andST2N2222Aarerecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
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产品属性

产品编号：
JANTXV2N2907UB
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Military, MIL-PRF-19500/291
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
3-SMD，无引线
供应商器件封装：
UB
描述：
SMALL-SIGNAL BJT

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