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MSR2N2907AUB

Rad Hard PNP Silicon Switching Transistor Screened per MIL-PRF-19500 & ESCC 22900

DESCRIPTION This RHA level PNP switching transistor, 2N2907A device in a UB package, is ideal to drive many high-reliability applications. This device is constructed and screened to a JANSR performance level with radiation test method 1019 wafer lot acceptance conducted on all die lots. Fully

文件:440 Kbytes 页数:7 Pages

MICROSEMI

美高森美

MSR2N2907AUB

Package:3-SMD,无引线;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:RH SMALL-SIGNAL BJT

MICROCHIP

微芯科技

MSR2N2907AUBC

Package:3-SMD,无引线;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:RH SMALL-SIGNAL BJT

MICROCHIP

微芯科技

MSR2N2907AUBC/TR

Package:3-SMD,无引线;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:RH SMALL-SIGNAL BJT

MICROCHIP

微芯科技

产品属性

  • 产品编号:

    MSR2N2907AUB

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/291

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.6V @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-SMD,无引线

  • 供应商器件封装:

    UB

  • 描述:

    RH SMALL-SIGNAL BJT

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更多MSR2N2907AUB供应商 更新时间2026-1-26 11:06:00