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JANTX2N5003数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

JANTX2N5003

参数属性

JANTX2N5003 封装/外壳为TO-210AA,TO-59-4,接线柱;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 80V 5A TO59

功能描述

Transistor GP BJT NPN 3-Pin 80V, 5A, 2W TO-59 Tray
TRANS PNP 80V 5A TO59

封装外壳

TO-210AA,TO-59-4,接线柱

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 8:24:00

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JANTX2N5003规格书详情

描述 Description

This 2N5003 high speed NPN transistor, is rated at 5 amps and military qualified up to a JANTXV level for high-reliability applications. This transistor is available in a TO-210AA (TO-59) isolated package with a 180 degree lead orientation. Microchip also offers numerous other products to meet higher and lower power voltage regulation applications.

特性 Features

JEDEC registered 2N5003 and 2N5005
Internal metallurgical bond option available
JAN, JANTX, and JANTXV, qualification per MIL-PRF-19500/535 available
RoHS compliant versions available (commercial grade only)
Fast switching capable - 0.5 µs rise time
High frequency response
TO-210AA (TO-59) case with Isolated terminals
Class 3B to ESD per MIL-STD-750 Method 1020.

简介

JANTX2N5003属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的JANTX2N5003晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    JANTX2N5003

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/535

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 500mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 2.5A,5V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座,接线柱安装

  • 封装/外壳:

    TO-210AA,TO-59-4,接线柱

  • 供应商器件封装:

    TO-59

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 5A TO59

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