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JANTX2N4931中文资料PNP Silicon high-voltage -200V to -300V, -0.2A数据手册Microchip规格书

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厂商型号

JANTX2N4931

参数属性

JANTX2N4931 封装/外壳为TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 250V 0.2A TO39

功能描述

PNP Silicon high-voltage -200V to -300V, -0.2A
TRANS PNP 250V 0.2A TO39

封装外壳

TO-205AD,TO-39-3 金属罐

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 美国微芯科技公司

数据手册

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更新时间

2025-10-1 16:20:00

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JANTX2N4931规格书详情

描述 Description

This specification covers the performance requirements for PNP, silicon, high-voltage 2N3743, 2N4930 and 2N4931 transistor. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided for each encapsulated device type as specified in MIL-PRF-19500/397. Two levels of product assurance (JANHC and JANKC) for die are provided for each unencapsulated device.

特性 Features

The device package outlines are as follows: TO-39 , and surfacemount U4 package for all encapsulated device types.
The dimensions and topography for JANHC and JANKC unencapsulated die are as outlined in MIL-PRF-19500/397.

简介

JANTX2N4931属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的JANTX2N4931晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    JANTX2N4931

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/397

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.2V @ 3mA,30mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    250nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 30mA,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AD,TO-39-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-39(TO-205AD)

  • 描述:

    TRANS PNP 250V 0.2A TO39

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