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JANTX2N4399中文资料PNP Silicon Power -60V to -80V, -20A to -30A数据手册Microchip规格书

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厂商型号

JANTX2N4399

参数属性

JANTX2N4399 封装/外壳为TO-204AA,TO-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 30A TO3

功能描述

PNP Silicon Power -60V to -80V, -20A to -30A
TRANS PNP 60V 30A TO3

封装外壳

TO-204AA,TO-3

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 美国微芯科技公司

数据手册

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更新时间

2025-10-1 16:20:00

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JANTX2N4399规格书详情

描述 Description

This specification covers the performance requirements for PNP silicon, high-power, 2N4399 and 2N5745 transistors. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided for each encapsulated device type as specified in MIL-PRF-19500/433.

特性 Features

The device packages for the encapsulated device types are as follows: TO-204AA (TO-3)

简介

JANTX2N4399属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的JANTX2N4399晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    JANTX2N4399

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/433

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    750mV @ 1A,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 15A,2V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3(TO-204AA)

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 30A TO3

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