RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU - HOLE ( TO - 254AA )

500V N-CHANNEL Features: ■ Single Event effect (SEE) Hardened ■ Ultra Low RDS(on) ■ Low Total Gate Change ■ Proton Tolerant ■ Simple Drive Requirements ■ Ease of Paralleling ■ Hermetically Sealed ■ Light Weight

文件：274.46 Kbytes 页数：8 Pages

IRF

抗辐射 MOSFET

\n优势:;

Infineon

英飞凌

DO-35

MICROSEMI/美高森美

上传：深圳市瑞祥辉半导体有限公司

SSOP

MICROSEMI

美高森美

上传：深圳市莱克讯科技有限公司

TO-3P

IR

国际整流器

上传：深圳市东来宝电子科技有限公司