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JANS2N5666	文件：118.92 Kbytes Page：3 Pages	NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR 文件：118.92 Kbytes 页数：3 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
JANS2N5666	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Transistor	Microchip 微芯科技	Microchip
JANS2N5666	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-205AA，TO-5-3 金属罐；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 200V 5A TO5	Microchip 微芯科技	Microchip
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JANS2N5666U3	文件：118.92 Kbytes Page：3 Pages	NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR 文件：118.92 Kbytes 页数：3 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
JANS2N5666S	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Transistor	Microchip 微芯科技	Microchip
JANS2N5666U3	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-SMD，扁平引线；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 200V 5A U3	Microchip 微芯科技	Microchip
JANS2N5666U3/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-SMD，无引线；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：POWER BJT	Microchip 微芯科技	Microchip

产品属性

产品编号：
JANS2N5666
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Military, MIL-PRF-19500/455
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 1A，5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
200nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 1A，5V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-205AA，TO-5-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-5
描述：
TRANS NPN 200V 5A TO5

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更多JANS2N5666供应商更新时间2025-12-24 11:24:00

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