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JAN2N6650

Darlington PNP Silicon Power -40V -80V, -10A

This specification covers the performance requirements for PNP silicon, Darlington power, 2N6648, 2N6649 and 2N6650 transistors. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each encapsulated device as specified in MIL-PRF-19500/527. The device package outlines is a dia

Microchip

微芯科技

JAN2N6650

Package:TO-204AA,TO-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP DARL 80V 10A TO204AA

MICROCHIP

微芯科技

2N665

GERMANIUM POWER TRANSISTORS

4 AMP GERMANIUM PNP 5 AMP GERMANIUM PNP 6 AMP GERMANIUM PNP

文件:88.66 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N665

GERMANIUM POWER TRANSISTORS

4 AMP GERMANIUM PNP 5 AMP GERMANIUM PNP 6 AMP GERMANIUM PNP

文件:88.66 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N665

GERMANIUM POWER TRANSISTORS

4 AMP GERMANIUM PNP 5 AMP GERMANIUM PNP 6 AMP GERMANIUM PNP

文件:88.66 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    JAN2N6650

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/527

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 100mA,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 5A,3V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-204AA(TO-3)

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 80V 10A TO204AA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MICROCHIP(美国微芯)
24+
TO-204
907
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
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MOT
24+
TO-3
266
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N/A
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Microchip Technology
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2000
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专业铁帽
CAN3
67500
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10000
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CAN
5000
全现原装公司现货
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MICROSEMI
638
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更多JAN2N665供应商 更新时间2026-3-15 23:00:00