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JAN2N6691	文件：70.3 Kbytes Page：2 Pages	NPN POWER SILICON TRANSISTOR NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/538 文件：70.3 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
JAN2N6691	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Silicon Power 300V to 400V, 15A This specification covers the performance requirements for NPN silicon, power, 2N6676, 2N6678, 2N6691 and 2N6693 transistors. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500/538. Two levels of product assurance are provid The device package outlines are as follows: TO-3, TO-61 , TO-254AA and TO-257AA for all encapsulated device types. \nThe dimensions and topography for JANHC and JANKC unencapsulated die are as outlined in MIL-PRF-19500/538.;	Microchip 微芯科技	Microchip
JAN2N6691	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，接线柱；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 300V 15A TO61	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
JANTX2N6691	文件：70.3 Kbytes Page：2 Pages	NPN POWER SILICON TRANSISTOR NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/538 文件：70.3 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
JANTXV2N6691	文件：70.3 Kbytes Page：2 Pages	NPN POWER SILICON TRANSISTOR NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/538 文件：70.3 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

产品属性

产品编号：
JAN2N6691
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Military, MIL-PRF-19500/538
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 3A，15A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 1A，3V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
接线柱安装
封装/外壳：
TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，接线柱
供应商器件封装：
TO-61
描述：
TRANS NPN 300V 15A TO61

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	JAN2N6691	Microchip Technology	25+	TO-211MA TO-210AC TO-61-4	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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