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JAN2N6649

Darlington PNP Silicon Power -40V -80V, -10A

This specification covers the performance requirements for PNP silicon, Darlington power, 2N6648, 2N6649 and 2N6650 transistors. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each encapsulated device as specified in MIL-PRF-19500/527. The device package outlines is a diamond base, flange mount TO-204-AA package (formerly TO-3) for all encapsulated device types.;

Microchip

微芯科技

JAN2N6649

Package:TO-204AA,TO-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP DARL 60V 10A TO204AA

Microchip

微芯科技

2N6649

PNP silicon power darington transistor

DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6678 series types are PNP Silicon Power Darlington Transistors designed for power switching and amplifier applications.

文件:92.21 Kbytes 页数:2 Pages

Central

2N6649

PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/527

文件:59.44 Kbytes 页数:2 Pages

Microsemi

美高森美

2N6649

POWER TRANSISTORS TO-3 CASE

Power Transistors TO-3 Case (Continued)

文件:51.69 Kbytes 页数:1 Pages

Central

产品属性

  • 产品编号:

    JAN2N6649

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/527

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 100mA,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 5A,3V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-204AA(TO-3)

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 60V 10A TO204AA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多JAN2N6649供应商 更新时间2025-12-24 10:03:00