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JAN2N6675

NPN Silicon Power Speed 300V to 400V, 15A

This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, power, 2N6674, 2N6675, 2N6689 and 2N6690 transistors for use in high-speed power-switching applications. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for encapsulated devices as specified in MIL-PRF-19 The device package outlines are a modified TO-204AD (formerly TO-3) for types 2N6674 and 2N6675 or a TO-210AC (formerly TO-61) for types 2N6689 and 2N6690.;

Microchip

微芯科技

JAN2N6675

Package:TO-204AA,TO-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 400V 15A TO204AA

MICROCHIP

微芯科技

2N6675

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/537

文件:60.35 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N6675

Power Transistors

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6674, 2N6675 types are NPN Silicon Triple Diffused Mesa Power Transistors designed for high voltage switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER

文件:53.7 Kbytes 页数:1 Pages

CENTRAL

2N6675

NPN Darlington Transistors

NPN Darlington Transistors TO-204MA (TO-3)

文件:344.75 Kbytes 页数:3 Pages

MICROSEMI

美高森美

产品属性

  • 产品编号:

    JAN2N6675

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/537

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    5V @ 5A,15A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    8 @ 10A,2V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-204AA(TO-3)

  • 描述:

    TRANS NPN 400V 15A TO204AA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MOT/RCA
24+
TO-3
812
询价
MOT/RCA
23+
2脚铁帽
5000
原装正品,假一罚十
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MOT/ON
24+
TO-3
1200
原装现货假一罚十
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MICROSEMI
638
原装正品
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Microsemi
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N/A
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MICROSEMI
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更多JAN2N6675供应商 更新时间2026-4-18 15:41:00