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JAN2N2222AUB/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：3-SMD，非标准型类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.8A UB	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
2N2222	文件：53.43 Kbytes Page：8 Pages	NPNswitchingtransistors FEATURES 1.Highcurrent(max.800mA) 2.Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •Linearamplificationandswitching. DESCRIPTION NPNswitchingtransistorinaTO-18metalpackage.PNPcomplement:2N2907A.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
2N2222	文件：71.73 Kbytes Page：5 Pages	HIGH-SPEEDSWITCHES DESCRIPTION The2N2218,2N2219,2N2221and2N2222aresiliconplanarepitaxialNPNtransistorsinJedecTO-39(for2N2218and2N2219)andinJedecTO-18(for2N2221and2N2222)metalcases.Theyaredesignedforhigh-speedswitchingapplicationsatcollectorcurrentsupto500mA,andfeatureuse	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
2N2222	文件：45.3 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarTransistors	SIEMENS Siemens Ltd
2N2222	文件：378.47 Kbytes Page：10 Pages	NPNSmallSignalGeneralPurposeAmplifiers NPNSmallSignalGeneralPurposeAmplifiers NPNSmallSignalGeneralPurposeAmplifiers&Switches	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
2N2222	文件：29.63 Kbytes Page：1 Pages	ChipType2C2222AGeometry0400PolarityNPN Chiptype2C2222AbySemicoaSemiconductorsprovidesperformancesimilartothesedevices. ProductSummary: APPLICATIONS:Designedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.	Semicoa SEMICOA
2N2222	文件：301.5 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics
2N2222	文件：10.35 Kbytes Page：1 Pages	BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO18MetalPackage.	SEME-LAB Seme LAB
2N2222	文件：187.78 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS The2N2907and2N2907aAarePNPtransistorsmountedinTO-18metalpackagewiththecollectorconnectedtothecase. Theyareprimarilyintendedforhighspeedswitching. NPNcomplementsare2N2222and2N2222A. CompliancetoRoHS	COMSET Comset Semiconductor
2N2222	文件：157.67 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS The2N2907and2N2907aAarePNPtransistorsmountedinTO-18metalpackagewiththecollectorconnectedtothecase. Theyareprimarilyintendedforhighspeedswitching. NPNcomplementsare2N2222and2N2222A. CompliancetoRoHS	COMSET Comset Semiconductor
2N2222	文件：238.03 Kbytes Page：3 Pages	NPNSwitchingTransistors Features •Highcurrent(max.800mA) •Lowvoltage(max.40V) •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation)	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
2N2222	文件：531 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N2221,2N2222typesaresiliconNPNepitaxialplanartransistorsdesignedforsmallsignal,generalpurposeswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
2N2222	文件：142.87 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintoonegroup accordingtoitsDCcurrentgain. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
2N2222	文件：273.27 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPLANARSWITCHINGTRANSISTORS NPNSILICONPLANARSWITCHINGTRANSISTORS SwitchingandLinearApplicationDCandVHFAmplifierApplications	CDIL CDIL
2N2222	文件：130.18 Kbytes Page：1 Pages	NPNSMALLSIGNALGENERALPURPOSEAMPLIFIERANDSWITCH NPNSMALLSIGNALGENERALPURPOSEAMPLIFIERANDSWITCH	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
2N2222	文件：84.1 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGSILICONTRANSISTORS SWITCHINGSILICONTRANSISTORS The2N2221-Aand2N2222-AareNPNtransistorsmountedinTO-18metalcase. Theyaredesignedforhigh-speedswitchingapplicationsandfeatureusefulcurrentgainoverawiderangeofcollectorcurrent,lowleakagecurrentsandlowsaturationvoltages. Compliance	COMSET Comset Semiconductor
2N2222	文件：521.23 Kbytes Page：3 Pages	thetransistorissubdivdedintoonegroup NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintoonegroup accordingtoitsDCcurrentgain. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.	Surge SURGE COMPONENTS
2N2222	文件：92.58 Kbytes Page：2 Pages	ComplementtoType2N2907 DESCRIPTION •CollectorCurrent-IC=0.8A •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=30V(Min) •ComplementtoType2N2907 APPLICATIONS •Designedforgeneral-purposeswitchingandlinear amplification.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2N2222	文件：942.34 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features lowpowersurfacemountapplications. Applications Generalamplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
2N2222	文件：84.44 Kbytes Page：2 Pages	Ultra-FastTransientResponseLDORegulator 300/600mA,Ultra-FastTransientResponseLDORegulator 2N2220,2N2221,and2N2222areepitaxialNPNsiliconplanartransistorsinTO18case(18A3DIN41876). Thecollectoriselectricallyconnectedtothecase.Thetransistorsareparticularlysuitableforuseashigh-speedswitches.	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

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产品属性

产品编号：
JAN2N2222AUB/TR
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Military, MIL-PRF-19500/255
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
3-SMD，非标准型
供应商器件封装：
UB
描述：
TRANS NPN 50V 0.8A UB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	JAN2N2222AUB/TR	Microchip Technology	23+	3-SMD,非标准型	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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