2N2222分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N2222 |
| 参数属性 | 2N2222 封装/外壳为TO-206AA，TO-18-3 金属罐；包装为剪切带（CT）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 30V 0.6A TO18 |
| 功能描述 | SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| 封装外壳 | TO-206AA，TO-18-3 金属罐 |
| 文件大小 |
187.78 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | Comset Semiconductor |
| 企业简称 |
COMSET |
| 中文名称 | Comset Semiconductor官网 |
| 原厂标识 | COMSET |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 20:00:00 |
| 人工找货 | 2N2222价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N2222规格书详情
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
The 2N2907 and 2N2907aA are PNP transistors mounted in TO-18 metal package with the collector connected to the case .
They are primarily intended for high speed switching.
NPN complements are 2N2222 and 2N2222A .
Compliance to RoHS
产品属性
- 产品编号：
2N2222
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
- 频率 - 跃迁：
250MHz
- 工作温度：
175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-206AA，TO-18-3 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-18
- 描述：
TRANS NPN 30V 0.6A TO18
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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