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JAN2N2906AL	文件：68.47 Kbytes Page：2 Pages	PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR RADIATION HARDENED PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/291 文件：68.47 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
JAN2N2906AL	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Transistor	Microchip 微芯科技	Microchip
JAN2N2906AL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-206AA，TO-18-3 金属罐；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 0.6A TO18	Microchip 微芯科技	Microchip
JAN2N2906AUA	文件：68.47 Kbytes Page：2 Pages	PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR RADIATION HARDENED PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/291 文件：68.47 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
JAN2N2906AUB	文件：68.47 Kbytes Page：2 Pages	PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR RADIATION HARDENED PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/291 文件：68.47 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
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产品属性

产品编号：
JAN2N2906AL
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Military, MIL-PRF-19500/291
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，10V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-206AA，TO-18-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-18（TO-206AA）
描述：
TRANS PNP 60V 0.6A TO18

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