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JAN1N5419US数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

JAN1N5419US

参数属性

JAN1N5419US 封装/外壳为SQ-MELF,B;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

功能描述

Power Rectifier, Fast - 100-500ns

封装外壳

SQ-MELF,B

制造商

Sensitron SENSITRON SEMICONDUCTOR

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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JAN1N5419US规格书详情

描述 Description

500 VOLT, 2 AMP, 250 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-B PACKAGE.
Electrical Characteristics : (All parameters are at Tc = 25°C unless otherwise specified)RATINGSYMBOLMAXUNITSPeak Inverse VoltagePIV500VoltsMaximum Forward Voltage @TA = 25°C Vf1.8@ 9VoltsMaximum DC Output Current (TC = 100°C)Io2AmpsPeak Single Cycle Surge Current tp = 8.3 msecIFSM80AmpsMaximum Reverse Recovery Time (see datasheet for conditions)Trr250nsecMaximum Reverse Current Irr@PIV@TA = 25°CIrr1µAMaximum Reverse Current Irr@PIV@TA = 125°CIrrmAMaximum Thermal ResistanceRθJC6.5°C/WMaximum Operating And Storage Temperature RangeTop/stg-65 to +175°CMechanical Outline:MELF-B Request QuoteDisclaimer

技术参数

  • 产品编号:

    JAN1N5419US

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/411

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    3A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SQ-MELF,B

  • 供应商器件封装:

    D-5B

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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