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JAN1N5419US数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF
JAN1N5419US规格书详情
描述 Description
500 VOLT, 2 AMP, 250 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-B PACKAGE.
Electrical Characteristics : (All parameters are at Tc = 25°C unless otherwise specified)RATINGSYMBOLMAXUNITSPeak Inverse VoltagePIV500VoltsMaximum Forward Voltage @TA = 25°C Vf1.8@ 9VoltsMaximum DC Output Current (TC = 100°C)Io2AmpsPeak Single Cycle Surge Current tp = 8.3 msecIFSM80AmpsMaximum Reverse Recovery Time (see datasheet for conditions)Trr250nsecMaximum Reverse Current Irr@PIV@TA = 25°CIrr1µAMaximum Reverse Current Irr@PIV@TA = 125°CIrrmAMaximum Thermal ResistanceRθJC6.5°C/WMaximum Operating And Storage Temperature RangeTop/stg-65 to +175°CMechanical Outline:MELF-B Request QuoteDisclaimer
技术参数
- 产品编号:
JAN1N5419US
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列:
Military, MIL-PRF-19500/411
- 包装:
散装
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
3A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SQ-MELF,B
- 供应商器件封装:
D-5B
- 工作温度 - 结:
-65°C ~ 175°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 500V 3A D5B
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROCHIP(美国微芯) |
24+ |
DO35(DO204AH) |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
VISHAY |
08+ |
DO-41 |
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Microsemi |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
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DO-41 |
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MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
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Microchip Technology |
25+ |
D-5B |
9350 |
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询价 | ||
TEXASINSTRUMENTS |
新 |
76 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
ON |
23+ |
65480 |
询价 | ||||
SEMTECH |
1650+ |
DMET3AFAST600VHR |
5800 |
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Sensitron Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
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