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JAN1N5417US数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF
JAN1N5417US规格书详情
描述 Description
200 VOLT, 2 AMP, 150 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-B PACKAGE.
Electrical Characteristics : (All parameters are at Tc = 25°C unless otherwise specified)RATINGSYMBOLMAXUNITSPeak Inverse VoltagePIV200VoltsMaximum Forward Voltage @TA = 25°C Vf1.7@ 9VoltsMaximum DC Output Current (TC = 100°C)Io2AmpsPeak Single Cycle Surge Current tp = 8.3 msecIFSM80AmpsMaximum Reverse Recovery Time (see datasheet for conditions)Trr150nsecMaximum Reverse Current Irr@PIV@TA = 25°CIrr1µAMaximum Reverse Current Irr@PIV@TA = 125°CIrrmAMaximum Thermal ResistanceRθJC6.5°C/WMaximum Operating And Storage Temperature RangeTop/stg-65 to +175°CMechanical Outline:MELF-B Request QuoteDisclaimer
技术参数
- 产品编号：
JAN1N5417US
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/411
- 包装：
散装
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
3A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SQ-MELF，B
- 供应商器件封装：
B，SQ-MELF
- 工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
08+ |
DO-41 |
369 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
VISHAY |
23+ |
DO-41 |
28000 |
原装正品 |
询价 | ||
Microsemi |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
1948+ |
DO-41 |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
询价 | ||||
Microchip Technology |
25+ |
B SQ-MELF |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
VISHAY |
24+ |
DO-41 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
SEMTECH |
1724+ |
DMET3AFAST500V |
5800 |
只做原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
Microchip |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
VISHAY |
22+23+ |
DO-41 |
8000 |
新到现货，只做原装进口 |
询价 |
