J45H11GMOS(场效应管)资料使用说明书第3页-114ic电子网

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MJD45H11	文件：192.88 Kbytes Page：6 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS8AMPERES80VOLTS20WATTS ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications ...forgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. •LeadFormedforSurfaceMountApplicationinPlasticS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJD45H11	文件：64.379 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPNPTRANSISTORS MJD44H11T4-AMJD44H11-->NPN MJD45H11T4-AMJD45H11-->PNP Description Thedevicesaremanufacturedinlowvoltagemultiepitaxialplanartechnology.Theyareintendedforgeneralpurposelinearandswitchingapplications. Features ■Thedevicesarequalifiedforautomotiveapp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD45H11	文件：217.1 Kbytes Page：8 Pages	Complementarypowertransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD45H11	文件：47.12 Kbytes Page：2 Pages	ComplementaryPowerTransistors Features ●LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves ●FastSwitchingSpeeds ●ComplementaryPairsSimplifiesDesigns ●Pb?FreePackagesareAvailable	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MJD45H11	文件：114.33 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD45H11	文件：152.94 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPNPTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD45H11	文件：76.24 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD45H11	文件：262.93 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •LowCollector-EmitterSaturationVoltage:VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=8A •FastSwitchingSpeeds •ComplementtoTypeMJD44H11 •DPAKforSurfaceMountApplications •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedfor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD45H11	文件：263.67 Kbytes Page：7 Pages	GateDriver Description: M57161L-01isahybridintegratedcircuitdesignedfordrivingPowerexF-SeriesIGBTmodules.Thisgatedriverconvertslogiclevelcontrolsignalsintohighcurrentgatedrivewithsuitableonandoffbiasvoltages.Electricalisolationoftheinputcontrolsignalisprovidedbyan	POWEREX Powerex Power Semiconductors	POWEREX
MJD45H11	文件：132.35 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryPowerTransistorsSILICONPOWERTRANSISTORS8AMPERES	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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