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IXFH58N20	文件：104.03 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH58N20	文件：372.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=58A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=40mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH58N20Q	文件：372.66 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=58A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=40mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH58N20Q	文件：356.34 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedHighdv/dt,LowQg Features •IXYSadvancedlowQgprocess •Internationalstandardpackages •Lowgatechargeandcapacitance -easiertodrive -fasterswitching •LowRDS(on) •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Moldingepoxi	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFM58N20	文件：104.03 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFM58N20	文件：276.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=58A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=40mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFR58N20Q	文件：96.64 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsISOPLUS247Q-Class HiPerFET™PowerMOSFETsISOPLUS247™Q-Class(ElectricallyIsolatedBackSurface) N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,HighdV/dt LowGateChargeandCapacitances Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFT58N20	文件：104.03 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFT58N20Q	文件：356.34 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedHighdv/dt,LowQg Features •IXYSadvancedlowQgprocess •Internationalstandardpackages •Lowgatechargeandcapacitance -easiertodrive -fasterswitching •LowRDS(on) •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Moldingepoxi	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

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