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IXYH40N120B3D1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

IXYH40N120B3D1

参数属性

IXYH40N120B3D1 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 86A 480W TO247

功能描述

1200V XPTTM IGBT GenX3TM w/ Diode
IGBT 1200V 86A 480W TO247

封装外壳

TO-247-3

文件大小

193.07 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

IXYS

中文名称

艾赛斯

网址

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更新时间

2025-11-3 16:51:00

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IXYH40N120B3D1规格书详情

IXYH40N120B3D1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由艾赛斯制造生产的IXYH40N120B3D1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching

特性 Features

• Optimized for 5-30kHZ Switching

• Square RBSOA

• Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)

• Anti-Parallel Ultra Fast Diode

• Avalanche Rated

• International Standard Package

Advantages

• High Power Density

• Low Gate Drive Requirement

Applications

• Power Inverters

• UPS

• Motor Drives

• SMPS

• PFC Circuits

• Battery Chargers

• Welding Machines

• Lamp Ballasts

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXYH40N120B3D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    GenX3™, XPT™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.9V @ 15V,40A

  • 开关能量:

    2.7mJ(开),1.6mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    22ns/177ns

  • 测试条件:

    600V,40A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247(IXYH)

  • 描述:

    IGBT 1200V 86A 480W TO247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
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