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IXYH30N120C3D1分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
![IXYH30N120C3D1](https://img.114ic.com/dgk/Renders/IXYS%20Renders/TO-247-AD-EP-(H).jpg)
厂商型号 |
IXYH30N120C3D1 |
参数属性 | IXYH30N120C3D1 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1200V 66A 416W TO247 |
功能描述 | High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching |
文件大小 |
189.11 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | IXYS Integrated Circuits Division |
企业简称 |
IXYS |
中文名称 | IXYS Integrated Circuits Division官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-16 23:00:00 |
IXYH30N120C3D1规格书详情
IXYH30N120C3D1属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXYH30N120C3D1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号:
IXYH30N120C3D1
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
GenX3™, XPT™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
3.3V @ 15V,30A
- 开关能量:
2.6mJ(开),1.1mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
19ns/130ns
- 测试条件:
600V,30A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247(IXTH)
- 描述:
IGBT 1200V 66A 416W TO247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
NA/ |
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