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IXYH30N120C3D1分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXYH30N120C3D1
厂商型号

IXYH30N120C3D1

参数属性

IXYH30N120C3D1 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1200V 66A 416W TO247

功能描述

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching
IGBT 1200V 66A 416W TO247

文件大小

189.11 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-16 23:00:00

IXYH30N120C3D1规格书详情

IXYH30N120C3D1属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXYH30N120C3D1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    IXYH30N120C3D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    GenX3™, XPT™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.3V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    2.6mJ(开),1.1mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    19ns/130ns

  • 测试条件:

    600V,30A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247(IXTH)

  • 描述:

    IGBT 1200V 66A 416W TO247

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