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IXYH30N120C3D1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
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厂商型号 |
IXYH30N120C3D1 |
参数属性 | IXYH30N120C3D1 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 66A 416W TO247 |
功能描述 | High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching |
封装外壳 | TO-247-3 |
文件大小 |
189.11 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | IXYS Corporation |
企业简称 |
IXYS |
中文名称 | IXYS Corporation官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-2 14:27:00 |
人工找货 | IXYH30N120C3D1价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
IXYH30N120C3D1规格书详情
IXYH30N120C3D1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的IXYH30N120C3D1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号:
IXYH30N120C3D1
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
GenX3™, XPT™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
3.3V @ 15V,30A
- 开关能量:
2.6mJ(开),1.1mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
19ns/130ns
- 测试条件:
600V,30A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247(IXTH)
- 描述:
IGBT 1200V 66A 416W TO247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
22+ |
TO247 (IXYH) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-247 |
25000 |
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IXYS(艾赛斯) |
24+ |
TO-247-3 |
8263 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
NA |
3129 |
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Littelfuse/IXYS |
24+ |
TO247 |
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IXYS/艾赛斯 |
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TO-247-3 变式 |
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IXYS(艾赛斯) |
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IXYS/Littelfuse |
23+ |
TO-247 |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
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