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IXYH30N120C3分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXYH30N120C3
厂商型号

IXYH30N120C3

参数属性

IXYH30N120C3 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 75A 500W TO247

功能描述

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching
IGBT 1200V 75A 500W TO247

封装外壳

TO-247-3

文件大小

186.53 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 22:59:00

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IXYH30N120C3规格书详情

IXYH30N120C3属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的IXYH30N120C3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching

VCES = 1200V

IC110 = 30A

VCE(sat)  3.3V

tfi(typ) = 88ns

Features

High Voltage Package

Optimized for Low Switching Losses

Square RBSOA

Positive Thermal Coefficient of Vce(sat)

Avalanche Rated

International Standard Packages

Applications

High Frequency Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXYH30N120C3

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    GenX3™, XPT™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.3V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    2.6mJ(开),1.1mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    19ns/130ns

  • 测试条件:

    600V,30A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247(IXYH)

  • 描述:

    IGBT 1200V 75A 500W TO247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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