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KSM3N60C	文件：1.66685 Mbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMB3N60	文件：660.97 Kbytes Page：4 Pages	ThisN-channelMOSFETSuseadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD3N60	文件：712.23 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD3N60C	文件：2.01698 Mbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF3N60	文件：1.10056 Mbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MTB3N60E	文件：146.91 Kbytes Page：4 Pages	HighEnergyPowerFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB3N60E	文件：74.47 Kbytes Page：4 Pages	TMOSPOWERFET3.0AMPERES600VOLTS TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilities.ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationscheme	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTM3N60	文件：125.02 Kbytes Page：3 Pages	PowerFieldEffectTransistor PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-Mode SiliconGateTWOS TheseTMOSPowerFETsaredesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. •SiliconGateforFastSwitchingSpeeds—SwitchingTim	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTM3N60	文件：125.02 Kbytes Page：3 Pages	PowerFieldEffectTransistor PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-Mode SiliconGateTWOS TheseTMOSPowerFETsaredesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. •SiliconGateforFastSwitchingSpeeds—SwitchingTim	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTN3N60BFP	文件：461.2 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC

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详细参数

型号：
IXTY3N60P
功能描述：
MOSFET 3 Amps 600V 3 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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