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MTM30N50	文件：88.03 Kbytes Page：1 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTY30N50	文件：237.96 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET30AMPERES500VOLTSRDS(on)=0.15OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTY30N50E	文件：200.62 Kbytes Page：8 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTY30N50E	文件：237.96 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET30AMPERES500VOLTSRDS(on)=0.15OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
RFP-30N50T-S	文件：261.329 Kbytes Page：2 Pages	AluminumNitrideTermination30Watts,50W	ANARENAnaren Microwave 安伦	ANAREN
SPL-I-AC-30N50	文件：352.08 Kbytes Page：2 Pages	Microprocessor-ControlledIndustrialPowerSupply	HVPSI High Voltage Power Solutions, Inc.	HVPSI
SPL-I-DC-30N50	文件：352.08 Kbytes Page：2 Pages	Microprocessor-ControlledIndustrialPowerSupply	HVPSI High Voltage Power Solutions, Inc.	HVPSI

详细参数

型号：
IXTQ30N50P
功能描述：
MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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