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IXTT50N30	文件：587.08 Kbytes Page：4 Pages	AdvanceTechnicalInformationHighCurrentPowerMOSFET HighCurrentPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Eas	IXYS IXYS Corporation	IXYS
PJM50N30DJ	文件：569.44 Kbytes Page：7 Pages	SingleN?묬hannelPowerMOSFET	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
RM50N30DN	文件：823.18 Kbytes Page：6 Pages	AdvancedPowerinnovateddesignandsiliconprocesstechnologytoachievethelowestpossibleonresistanceandfastswitchingperformance. SimpleDriveRequirement SmallSize&LowerProfile RoHSCompliant&Halogen-Free	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
SFF50N30M	文件：123.35 Kbytes Page：2 Pages	AvalancheRatedN-channelMOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SFF50N30Z	文件：123.35 Kbytes Page：2 Pages	AvalancheRatedN-channelMOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SSPL50N30H	文件：496.34 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedMOSFETprocesstechnology	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON

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