IXTH21N50中文资料IXYS数据手册PDF规格书
IXTH21N50规格书详情
N-Channel Enhancement Mode
特性 Features
International standard packages
Low RDS (on)HDMOS™ process
Rugged polysilicon gate cell structure
Low package inductance (< 5 nH)
- easy to drive and to protect
Fast switching times
Applications
Switch-mode and resonant-mode power supplies
Motor controls
Uninterruptible Power Supplies (UPS)
DC choppers
产品属性
- 型号：
IXTH21N50
- 功能描述：
MOSFET 21 Amps 500V 0.25 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
37850 |
23+ |
10 |
38097 |
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询价 | ||
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IXYS |
2 |
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IXYS |
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IXYS |
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IXYS |
23+ |
TO-3P |
7000 |
询价 |
