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IXTH12N100中文资料PDF规格书

IXTH12N100
厂商型号

IXTH12N100

参数属性

IXTH12N100 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个;产品描述:MOSFET N-CH 1000V 12A TO247

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

367.52 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-24 14:36:00

IXTH12N100规格书详情

FEATURES

·Drain Current –ID=12A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage-

: VDSS=1000V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) =1.05Ω(Max)@VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

产品属性

  • 产品编号:

    IXTH12N100Q

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 系列:

    Q Class

  • 包装:

    管件

  • FET 类型:

    N 通道

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    12A(Tc)

  • 安装类型:

    通孔

  • 供应商器件封装:

    TO-247(IXTH)

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 描述:

    MOSFET N-CH 1000V 12A TO247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
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TO2473
9000
原厂渠道,现货配单
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IXYS/艾赛斯
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NA/
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IXYS/艾赛斯
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TO-247
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IXYS-艾赛斯
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TO-247-3
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NA
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TO-247(IXTH)
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晶体管-分立半导体产品-原装正品
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