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SFF80N10M	文件：47.76 Kbytes Page：2 Pages	55AMP(note1)/100Volts12mON-ChannelTrenchGateMOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SFF80N10Z	文件：47.76 Kbytes Page：2 Pages	55AMP(note1)/100Volts12mON-ChannelTrenchGateMOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SPB80N10L	文件：108.75 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPower-Transistor Feature N-Channel Enhancementmode LogicLevel 175°Coperatingtemperature Avalancherated dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPI80N10L	文件：108.75 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPower-Transistor Feature N-Channel Enhancementmode LogicLevel 175°Coperatingtemperature Avalancherated dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP80N10L	文件：108.75 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPower-Transistor Feature N-Channel Enhancementmode LogicLevel 175°Coperatingtemperature Avalancherated dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
UTT80N10	文件：951.48 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UTT80N10	文件：130.9 Kbytes Page：3 Pages	80A,100VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTCUTT80N10isanN-channelpowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithperfectRDS(ON),highswitchingspeed,highcurrentcapacityandlowgatecharge. TheUTCUTT80N10issuitableforDC-DCconverters,Off-LineUPS,HighVoltageSynchronous	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
WSR80N10	文件：1.51876 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
WSR80N10	文件：812.83 Kbytes Page：7 Pages	N-ChMOSFET	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微硕半导体微硕半导体（深圳）有限公司	WIINSOK

详细参数

型号：
IXTA80N10T
功能描述：
MOSFET 80 Amps 100V 13.0 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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