N通道标准高电压MOSFET

• 国际标准包装\n• 快速切换时间\n• 雪崩评级\n• 坚固的多晶硅栅极单元结构\n• 超低的RDS(on);

Littelfuse

力特

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

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IXYS

艾赛斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 1500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =7.3Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

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ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode

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IXYS

艾赛斯

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

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IXYS

艾赛斯