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IXST30N60C分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXST30N60C
厂商型号

IXST30N60C

参数属性

IXST30N60C 封装/外壳为TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 55A 200W TO268

功能描述

High Speed IGBT
IGBT 600V 55A 200W TO268

封装外壳

TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA

文件大小

131.5 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
IXYS
数据手册

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更新时间

2025-8-1 15:30:00

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IXST30N60C规格书详情

IXST30N60C属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的IXST30N60C晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

High Speed IGBT

Short Circuit SOA Capability

特性 Features

● International standard packages

● Short Circuit SOA capability

● High frequency IGBT

● New generation HDMOSTM process

Applications

● AC motor speed control

● DC servo and robot drives

● DC choppers

● Uninterruptible power supplies (UPS)

● Switch-mode and resonant-mode

power supplies

Advantages

● Easy to mount with 1 screw

(isolated mounting screw hole)

● Surface mountable, high power case

style

● Reduce assembly time and cost

● High power density

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXST30N60C

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    700µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    30ns/90ns

  • 测试条件:

    480V,30A,4.7 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA

  • 供应商器件封装:

    TO-268AA

  • 描述:

    IGBT 600V 55A 200W TO268

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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