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IXSN55N120A分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

IXSN55N120A
厂商型号

IXSN55N120A

参数属性

IXSN55N120A 封装/外壳为SOT-227-4,miniBLOC;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 110A 500W SOT227B

功能描述

High Voltage IGBT - Short Circuit SOA Capability
IGBT MOD 1200V 110A 500W SOT227B

封装外壳

SOT-227-4,miniBLOC

文件大小

71.48 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

IXYS

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数据手册

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更新时间

2025-8-6 22:30:00

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IXSN55N120A规格书详情

IXSN55N120A属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由IXYS Corporation制造生产的IXSN55N120A晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

High Voltage IGBT

Short Circuit SOA Capability

特性 Features

• International standard package miniBLOC

• Aluminium-nitride isolation

- high power dissipation

• Isolation voltage 3000 V~

• UL registered E 153432

• Low VCE(sat)

- for minimum on-state conduction losses

• Low collector-to-case capacitance (<100 pF)

- reduces RFI

• Low package inductance (< 10 nH)

- easy to drive and to protect

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switch-mode and resonant-mode power supplies

Advantages

• Space savings

• Easy to mount with 2 screws

• High power density

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXSN55N120A

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    托盘

  • 配置:

    单路

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    4V @ 15V,55A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供应商器件封装:

    SOT-227B

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 110A 500W SOT227B

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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