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IXSN35N100U1分立半导体产品晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

IXSN35N100U1
厂商型号

IXSN35N100U1

参数属性

IXSN35N100U1 封装/外壳为SOT-227-4,miniBLOC;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块;产品描述:IGBT MOD 1000V 38A 205W SOT227B

功能描述

IGBT with Diode - High Short Circuit SOA Capability
IGBT MOD 1000V 38A 205W SOT227B

文件大小

80.83 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-24 11:20:00

IXSN35N100U1规格书详情

High Short Circuit SOA Capability

Features

● International standard package

miniBLOC (ISOTOP) compatible

● Isolation voltage 3000 V~

● 2nd generation HDMOSTM process

- for high short circuit SOA

● Low VCE(sat)

- for minimum on-state conduction

losses

● MOS Gate turn-on

- drive simplicity

● Fast Recovery Epitaxial Diode

(FRED)

- short trr and IRM

● Low collector-to-case capacitance

(< 50 pF)

- reducesd RFI

● Low package inductance (< 10 nH)

- easy to drive and to protect

Applications

● AC motor speed control

● DC servo and robot drives

● DC choppers

● Uninterruptible power supplies (UPS)

● Switch-mode and resonant-mode

power supplies

Advantages

● Space savings

● Easy to mount with 2 screws

● High power density

IXSN35N100U1属于分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXSN35N100U1晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

产品属性

  • 产品编号:

    IXSN35N100U1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    散装

  • 配置:

    单路

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.5V @ 15V,25A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供应商器件封装:

    SOT-227B

  • 描述:

    IGBT MOD 1000V 38A 205W SOT227B

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