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IXSP15N120B分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXSP15N120B
厂商型号

IXSP15N120B

参数属性

IXSP15N120B 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 30A 150W TO220AB

功能描述

S Series - Improved SCSOA Capability
IGBT 1200V 30A 150W TO220AB

封装外壳

TO-220-3

文件大小

84.81 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 14:05:00

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IXSP15N120B规格书详情

IXSP15N120B属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的IXSP15N120B晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

特性 Features

• International standard packages JEDEC TO-220AB and TO-263AA

• Low switching losses, low V(sat)

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switch-mode and resonant-mode power supplies

Advantages

• Easy to mount with one screw

• Reduces assembly time and cost

• High power density

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXSP15N120B

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.4V @ 15V,15A

  • 开关能量:

    1.75mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    30ns/148ns

  • 测试条件:

    960V,15A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 30A 150W TO220AB

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