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IXSK35N120BD1数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IXSK35N120BD1

参数属性

IXSK35N120BD1 封装/外壳为TO-264-3,TO-264AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 70A 300W TO264

功能描述

Short Circuit Rated PT IGBTs

封装外壳

TO-264-3,TO-264AA

制造商

Littelfuse littelfuse

中文名称

力特 力特公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 18:25:00

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IXSK35N120BD1规格书详情

特性 Features

·VCES :600V and 1200V
·SCSOA capability
·10 us short circuit withstand capability
·B and B2 Class IGBTs with lower VCE (sat) optimized for Low to Medium Speed Applications

技术参数

  • 产品编号:

    IXSK35N120BD1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.6V @ 15V,35A

  • 开关能量:

    5mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    36ns/160ns

  • 测试条件:

    960V,35A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 供应商器件封装:

    TO-264AA(IXSK)

  • 描述:

    IGBT 1200V 70A 300W TO264

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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