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IXSK35N120BD1数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
IXSK35N120BD1规格书详情
特性 Features
·VCES :600V and 1200V
·SCSOA capability
·10 us short circuit withstand capability
·B and B2 Class IGBTs with lower VCE (sat) optimized for Low to Medium Speed Applications
技术参数
- 产品编号:
IXSK35N120BD1
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
3.6V @ 15V,35A
- 开关能量:
5mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
36ns/160ns
- 测试条件:
960V,35A,5 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-264-3,TO-264AA
- 供应商器件封装:
TO-264AA(IXSK)
- 描述:
IGBT 1200V 70A 300W TO264
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
1822+ |
TO-264 |
9852 |
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询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-264 |
10000 |
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IXYS |
24+ |
TO-264 |
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IXYS |
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IXYS |
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TO-264AA(IXSK) |
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IXYS |
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TO-247AD |
25000 |
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IXYS |
23+ |
TO-264 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-264 |
7000 |
询价 | |||
IXYS CORPORATION |
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SMD |
898 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
17+ |
TO-264 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
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