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IXSH50N60B数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
IXSH50N60B规格书详情
特性 Features
·VCES :600V and 1200V
·SCSOA capability
·10 us short circuit withstand capability
·B and B2 Class IGBTs with lower VCE (sat) optimized for Low to Medium Speed Applications
技术参数
- 产品编号:
IXSH50N60B
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,50A
- 开关能量:
3.3mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
70ns/150ns
- 测试条件:
480V,50A,2.7 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247AD
- 描述:
IGBT 600V 75A 250W TO247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
24+ |
TO-247 |
80000 |
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IXYS |
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IXYS/艾赛斯 |
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TO-247 |
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IXYS |
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IXYS |
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IXYS/艾赛斯 |
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TO-264 |
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IXYS/艾赛斯 |
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TO-247 |
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IXYS |
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IXYS |
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NA |
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