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IXSH35N120A数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
IXSH35N120A规格书详情
特性 Features
·VCES :600V and 1200V
·SCSOA capability
·10 us short circuit withstand capability
·B and B2 Class IGBTs with lower VCE (sat) optimized for Low to Medium Speed Applications
技术参数
- 产品编号：
IXSH35N120A
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
4V @ 15V，35A
- 开关能量：
10mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
80ns/400ns
- 测试条件：
960V，35A，2.7 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 1200V 70A 300W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
16438 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
6800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
0726+ |
TO-3P |
212 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IXYS |
25+23+ |
TO-3P |
19608 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-3P |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IXYSCORPORATION |
新 |
425 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
IXYS |
23+ |
管3P |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
TO247AD (IXSH) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
8866 |
询价 | |||
IXS |
TO-3P |
1158 |
优势库存 |
询价 |
