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IXGT32N120A3数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IXGT32N120A3

参数属性

IXGT32N120A3 封装/外壳为TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 75A 300W TO268

功能描述

PT 低频IGBT

封装外壳

TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA

制造商

Littelfuse littelfuse

中文名称

力特 力特公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 19:13:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IXGT32N120A3

  • 生产厂家

    :Littelfuse

  • Collector Current @ 25 ℃ (A)

    :75

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

    :2.35

  • Fall Time [Inductive Load] (ns)

    :1240

  • Configuration

    :Single

  • Package Type

    :TO-268S

  • Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)

    :0.42

  • Collector Current @ 90 ℃ (A)

    :32

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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