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IXGT30N60B2D1数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
IXGT30N60B2D1 |
| 参数属性 | IXGT30N60B2D1 封装/外壳为TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 70A 190W TO268 |
| 功能描述 | PT IGBTs |
| 封装外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA |
| 制造商 | Littelfuse littelfuse |
| 中文名称 | 力特 力特公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 17:13:00 |
| 人工找货 | IXGT30N60B2D1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IXGT30N60B2D1规格书详情
特性 Features
·VCES: 300V to 1200V
·IC(90): 2A to 200A
·High Gain, Low conduction & switching losses. Classes:A2,A3,B2,B3,C2
and C3 ·A2: DC to 10kHz. B2,B3: 15kHz to 40kHz C2: 40kHz to 100kHz
C3: 50kHz -150kHz.·A3-Class Polar IGBT/Diode Types, Mid-Frequency Range (15KHz-40KHz)
C3-300 V IGBT, High Speed PT for 50kHz-150kHz switching·Available with or without ultrafast diode in parallel
技术参数
- 产品编号：
IXGT30N60B2D1
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
HiPerFAST™
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，24A
- 开关能量：
320µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
13ns/110ns
- 测试条件：
400V，24A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
- 供应商器件封装：
TO-268AA
- 描述：
IGBT 600V 70A 190W TO268
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-268 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
21368 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
65200 |
询价 | ||||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO-268 |
8866 |
询价 | |||
IXYS |
22+ |
TO268 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-268 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IXYS |
2022+ |
TO-268 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-268 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-268 |
7000 |
询价 |
