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IXGT2N250数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IXGT2N250

参数属性

IXGT2N250 封装/外壳为TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 2500V 5.5A 32W TO-268

功能描述

NPT 超高电压IGBT

封装外壳

TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA

制造商

Littelfuse littelfuse

中文名称

力特 力特公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 17:43:00

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IXGT2N250规格书详情

特性 Features

• 高阻断电压
• 高峰值电流能力
• 高功率密度
• 低饱和电压
• 国际标准和专有ISOPLUSTM封装

应用 Application

• 脉冲电路
• 电容放电电路
• 高压电源
• 高压测试设备
• 激光和X射线发生器

技术参数

  • 制造商编号

    :IXGT2N250

  • 生产厂家

    :Littelfuse

  • Collector Current @ 25 ℃ (A)

    :5.5

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

    :3.1

  • Configuration

    :Single

  • Package Type

    :TO-268S

  • Fall Time [Resistive Load](ns)

    :100

  • Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)

    :3.9

  • Collector Current @ 110 ℃ (A)

    :2

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