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IXGR35N120C分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
IXGR35N120C |
参数属性 | IXGR35N120C 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1200V 70A 200W ISOPLUS247 |
功能描述 | HiPerFAST IGBT ISOPLUS247 |
文件大小 |
49.14 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | IXYS Corporation |
企业简称 |
IXYS |
中文名称 | IXYS Corporation官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-9-24 16:35:00 |
IXGR35N120C规格书详情
HiPerFAST™ IGBT ISOPLUS247™ (Electrically Isolated Backside)
Features
• DCB Isolated mounting tab
• Meets TO-247AD package Outline
• High current handling capability
• MOS Gate turn-on - drive simplicity
Applications
• Uninterruptible power supplies (UPS)
• Switched-mode and resonant-mode power supplies
• AC motor speed control
• DC servo and robot drives
• DC choppers
Advantages
• Easy assembly
• High power density
IXGR35N120C属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Corporation制造生产的IXGR35N120C晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号:
IXGR35N120C
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
HiPerFAST™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
4V @ 15V,35A
- 开关能量:
3mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
50ns/150ns
- 测试条件:
960V,35A,4.7 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
ISOPLUS247™
- 描述:
IGBT 1200V 70A 200W ISOPLUS247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
22+ |
ISOPLUS247? |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
ISOPLUS247 |
12300 |
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IXYS |
2022+ |
ISOPLUS247? |
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IXYS/艾赛斯 |
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25000 |
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MODULE |
10000 |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
ISOPLUS247 |
10000 |
公司只做原装正品 |
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IXYS |
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TO-247 |
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公司大量全新原装 正品 随时可以发货 |
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IXYS |
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ISOPLUS247? |
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公司只售原装,支持实单 |
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IXYS |
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