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MGP7N60E	文件：122.09 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplicationsrequiringbothahightemperatureshortcircuitcapabilityandalowVCE(on)	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MGP7N60E	文件：118.14 Kbytes Page：5 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplicationsrequiringbothahightemperatureshortcircuitcapabilityandalowVCE(on)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGP7N60ED	文件：144.18 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithrAnti-ParallelDiode ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packaged withasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplicationsrequiringboth	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MS7N60	文件：396.56 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSF7N60	文件：774.32 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTN7N60BFP	文件：462.28 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTN7N60FP	文件：344.8 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTP7N60	文件：118.38 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMosfetTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
NJ7N60	文件：931.87 Kbytes Page：7 Pages	7.4A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NJ7N60-BL	文件：931.87 Kbytes Page：7 Pages	7.4A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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产品属性

产品编号：
IXGP7N60B
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
HiPerFAST™
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，7A
开关能量：
70µJ（开），300µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
9ns/100ns
测试条件：
480V，7A，22 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
IGBT 600V 14A 54W TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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