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IXGM20N60A	文件：64.36 Kbytes Page：2 Pages	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT Low VCE(sat) IGBT High speed IGBT Features l International standard packages l 2nd generation HDMOSTM process l Low VCE(sat) - for low on-state conduction losses l High current handling capability l MOS Gate turn-on - drive simplicity l Voltage rating guaranteed at 文件：64.36 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGM20N60A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-204AE；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：POWER MOSFET TO-3	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGP20N60B	文件：85.86 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFASTTM IGBT 文件：85.86 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGT20N60B	文件：114.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFAST IGBT VCES = 600 V IC25 = 40 A VCE(sat)typ = 1.7 V tfi(typ) = 100 ns Features • International standard packages JEDEC TO-268 surface mountable and JEDEC TO-247 AD • High current handling capability • Latest generation HDMOSTM process • MOS Gate turn-on - drive simplicity 文件：114.65 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXKC20N60C	文件：520.97 Kbytes Page：2 Pages	CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS220 Package CoolMOS™ Power MOSFET in ISOPLUS220™ Package Electrically Isolated Back Surface N-Channel Enhancement Mode Low RDS(on), Superjunction MOSFET Features • Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate - High power dissipation - Isolated mounting surface - 2500V electrical isolation • 文件：520.97 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

产品属性

产品编号：
IXGM20N60A
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，20A
开关能量：
2mJ（开），2mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
100ns/600ns
测试条件：
480V，20A，82 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AE
供应商器件封装：
TO-204AE
描述：
POWER MOSFET TO-3

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