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IXGH25N100数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IXGH25N100

参数属性

IXGH25N100 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1000V 50A 200W TO247AD

功能描述

PT IGBTs

封装外壳

TO-247-3

制造商

Littelfuse littelfuse

中文名称

力特 力特公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 22:30:00

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IXGH25N100规格书详情

特性 Features

·VCES: 300V to 1200V
·IC(90): 2A to 200A
·High Gain, Low conduction & switching losses. Classes:A2,A3,B2,B3,C2
and C3 ·A2: DC to 10kHz. B2,B3: 15kHz to 40kHz C2: 40kHz to 100kHz
C3: 50kHz -150kHz.·A3-Class Polar IGBT/Diode Types, Mid-Frequency Range (15KHz-40KHz)
C3-300 V IGBT, High Speed PT for 50kHz-150kHz switching·Available with or without ultrafast diode in parallel

技术参数

  • 制造商编号

    :IXGH25N100

  • 生产厂家

    :Littelfuse

  • Package Style

    :TO-247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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