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IXGF32N170分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

IXGF32N170

参数属性

IXGF32N170 封装/外壳为i4-Pac™-5(3 引线);包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1700V 44A 200W I4PAC

功能描述

High Voltage IGBT
IGBT 1700V 44A 200W I4PAC

封装外壳

i4-Pac™-5(3 引线)

文件大小

186.47 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

IXYS

中文名称

艾赛斯

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-16 10:30:00

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IXGF32N170规格书详情

IXGF32N170属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由艾赛斯制造生产的IXGF32N170晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

特性 Features

• Electrically Isolated Tab

• High Current Handling Capability

• Rugged NPT Structure

• Molding Epoxies Meet UL 94 V-0 Flammability Classification

Applications

• Capacitor Discharge & Pulser Circuits

• AC Motor Drives

• Uninterruptible Power Supplies (UPS)

• Switched-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

Advantages

• High Power Density

• Suitable for Surface Mounting

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXGF32N170

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.5V @ 15V,32A

  • 开关能量:

    10.6mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    45ns/270ns

  • 测试条件:

    1020V,32A,2.7 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    i4-Pac™-5(3 引线)

  • 供应商器件封装:

    ISOPLUS i4-PAC™

  • 描述:

    IGBT 1700V 44A 200W I4PAC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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