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IXGA50N60C4规格书详情
High-Speed PT Trench IGBT
Features
Optimized for Low Switching Losses
International Standard Packages
Square RBSOA
产品属性
- 型号:
IXGA50N60C4
- 功能描述:
IGBT 模块 High Gain IGBTs
- RoHS:
否
- 制造商:
Infineon Technologies
- 产品:
IGBT Silicon Modules
- 配置:
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO:
600 V
- 集电极—射极饱和电压:
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流:
230 A
- 栅极—射极漏泄电流:
400 nA
- 功率耗散:
445 W
- 最大工作温度:
+ 125 C
- 封装/箱体:
34MM
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
原装正品 |
23+ |
TO-263 |
67782 |
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IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO263 |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-263(D2PAK) |
90000 |
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IXYS |
23+ |
TO-263 |
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IXYS |
21+ |
TO263 (IXGA) |
13880 |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-220 |
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IXYS |
23+ |
TO-263(D2PAK |
8600 |
全新原装现货 |
询价 | ||
08+(pbfree) |
8866 |
询价 | |||||
IXYS |
22+ |
TO263 (IXGA) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
2020+ |
TO-263 |
16800 |
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