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IXGB75N60BD1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IXGB75N60BD1 |
| 参数属性 | IXGB75N60BD1 封装/外壳为TO-264-3，TO-264AA；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 120A 360W PLUS264 |
| 功能描述 | HiPerFAST IGBT with Diode |
| 封装外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 文件大小 |
59.18 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | IXYS |
| 中文名称 | 艾赛斯 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-16 15:01:00 |
| 人工找货 | IXGB75N60BD1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IXGB75N60BD1规格书详情
IXGB75N60BD1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由艾赛斯制造生产的IXGB75N60BD1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
特性 Features
• High current handling capability in
holeless TO-264 package
• High frequency IGBT and antparallel
FRED in one package
• New generation HDMOSTM process
• MOS Gate turn-on fordrive simplicity
• Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
with soft recovery and low IRM
Applications
• AC motor speed control
• DC servo and robot drives
• DC choppers
• Uninterruptible power supplies (UPS)
• Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Advantages
• Space savings (two devices on one
package
• Easy spring or clip mounting
产品属性
更多- 产品编号：
IXGB75N60BD1
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
HiPerFAST™
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，75A
- 开关能量：
3.3mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
62ns/220ns
- 测试条件：
480V，75A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-264-3，TO-264AA
- 供应商器件封装：
PLUS264™
- 描述：
IGBT 600V 120A 360W PLUS264
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
2022+ |
PLUS264? |
38550 |
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询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-TO-220 |
12300 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
PLUS264? |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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IXYS |
1931+ |
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IXYS |
22+ |
NA |
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IXYS |
25+ |
TO-264-3 TO-264AA |
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IXYS |
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