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MTM30N50	文件：305.49 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.35Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive ·DC-DCconverter ·powerswitchandsolenoiddrive	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTY30N50	文件：237.96 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET30AMPERES500VOLTSRDS(on)=0.15OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTY30N50E	文件：200.62 Kbytes Page：8 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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RFP-30N50T-S	文件：261.329 Kbytes Page：2 Pages	AluminumNitrideTermination30Watts,50W	ANARENAnaren Microwave 安伦	ANAREN
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SPL-I-DC-30N50	文件：352.08 Kbytes Page：2 Pages	Microprocessor-ControlledIndustrialPowerSupply	HVPSI High Voltage Power Solutions, Inc.	HVPSI

详细参数

型号：
IXFX30N50Q
功能描述：
MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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