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OM6N100SA	文件：44.39 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFETINHERMETICISOLATEDJEDECPACKAGE	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
SFF6N100	文件：193.48 Kbytes Page：2 Pages	4.5AMP1000VOLTS2ohmN-ChannelPowerMOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
STH6N100	文件：202.72 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=1.75Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWINPUTCAPACITANCE ■LOWGATECHARGE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEED	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STH6N100FI	文件：202.72 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=1.75Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWINPUTCAPACITANCE ■LOWGATECHARGE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEED	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
T6N100CA	文件：182.31 Kbytes Page：6 Pages	Surface-MountPAR®TransientVoltageSuppressors FEATURES •Low-profilepackage-typicalheightof0.88mm •LeadlessDFNpackagewithside-wettable flankssuitableforcustomerAOI(Automatic OpticalInspection) •Idealforautomatedplacement •Junctionpassivationoptimizeddesign passivatedanisotropicrectifiertechnology •TJ=18	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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详细参数

型号：
IXFT6N100Q
功能描述：
MOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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